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我国存储器芯片专利风险较高 亟待专利质量突围

2018-9-29 11:43| 发布者: mmjyq| 查看: 468| 评论: 0


国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心发布的《半导体存储器产业知识产权分析评议报告》显示,随着传统存储器技术趋于成熟,但产业进入诉讼高发期,而我国既没有巨头企业的专利授权,专利储备又较为薄弱,存在较高的专利风险。报告显示,目前,半导体存储器年产值超过1000亿美元。易失性存储器(即断电后存储信息消失)以DRAM(动态随机存取存储器)为代表,非易失性存储器以NAND FLASH(闪存)为代表,两者份额占存储器产业90%以上,但长期以来,这一市场都被韩国三星、海力士和美国美光等国际巨头所垄断。以引发福建晋华与美光纠纷的DRAM为例,中国集成电路知识产权联盟此前发布的《集成电路专利态势报告》显示,在DRAM领域,全球公开的专利申请达14万余件,日本、美国、韩国申请量位居全球前列,占比达76%,中国的DRAM产业技术基础薄弱,相关专利申请量很少,占比仅为4%。合享汇智信息科技集团有限公司高级专利分析师饶小平经检索发现,美光在全球申请了近4万件专利,而且在美国、日本、韩国、中国及欧洲等多个国家和地区都有相当数量的布局。相比之下,福建晋华作为大陆新晋厂商,在其拥有的60多件专利中,一部分是与中国台湾企业联华电子共同申请的专利,一部分是受让于联华电子的专利。集慧智佳知识产权咨询公司咨询师王希波表示,虽然专利侵权的可能性并不能简单地从数量上去衡量,单独一件高价值专利仍可能成为专利诉讼的有力武器,但专利战一旦开打,双方手中的专利储备情况也会影响后续的谈判走向,在这方面福建晋华并没有优势。报告显示,除了巨头企业外,退市厂商也持有大量有效专利,我国企业应注意防范来自国际巨头企业、退市厂商以及NPE(非专利实施主体)三方的专利诉讼风险。在国际巨头的先发优势面前,我国存储器企业专利储备不足已是不争的事实。对此,多位业内人士认为,有针对性地制定专利策略,提升专利质量,完善专利布局,或能为我国存储器企业争得一席之地。

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