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四种存储技术或成为下世代主流

2018-7-3 16:37| 发布者: mmjyq| 查看: 530| 评论: 0


随着移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的资料储存与存储器技术需求日益增加。目前的存储器技术以DRAMNAND快闪存储器为主流,但DRAM的读写速度快,无法长时间储存资料;NAND Flash能保存资料,但读写速度不佳。同时兼具运算、储存能力的下世代存储器,如磁阻式存储器(MRAM)、电阻式存储器(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性存储器(STT-MRAM)等,就成为下世代存储器技术的新宠儿。MRAM的技术在原理上存取速度将超越DRAM达到接近SRAM,且断电后资料不流失,早期由Everspin公司开发,被视为下世代存储器技术的重要竞争者。预计2017年底、2018年投产;RRAM其优点是消耗电力较NAND低,且写入资讯速度比NAND快闪存储器快1万倍,主要投入研究的厂商有美光、Sony、三星;3D XPoint技术为储存装置的良好替代品,具有比NAND快闪存储器快了近1000倍,也可用于运算速度要求低的计算应用。主要厂商为英特尔与美光,采用多层线路构成的三维结构,并采用栅状电线电阻来表示01,原理类似RRAMSTT-MRAM是运用量子力学的电子自旋角动量的技术应用,具有DRAMSRAM的高性能且低功耗,并相容现有的CMOS制造技术与制程。目前主要投入厂商有IBM与三星、SK海力士和东芝,其中IBM和三星在IEEE发布研究论文表示,已成功实现10奈秒的传输速度和超省电架构。

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